前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002219233441125
整理番号：10A1012567
AlGaN/GaNから成るヘテロ構造のエッチングされた表面上におけるドナー状態の分布
Distribution of donor states on etched surface of AlGaN/GaN heterostructures
HIGASHIWAKI Masataka
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
CHOWDHURY Srabanti
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MIAO Mao-sheng
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SWENSON Brian L.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
VAN DE WALLE Chris G.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 108 号： 6 ページ： 063719 発行年： 2010年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。