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文献
J-GLOBAL ID：201002219276524709
整理番号：10A0374028
120°CにおけるSiの硝酸酸化法:HNO3濃度依存性
Nitric acid oxidation of Si method at 120 °C: HNO3 concentration dependence
IMAMURA Kentaro
(Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN)
,
TAKAHASHI Masao
(Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN)
,
ASUHA
(Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN)
,
HIRAYAMA Yasuhiro
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, JPN)
,
IMAI Shigeki
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, JPN)
,
KOBAYASHI Hikaru
(Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 107 号： 5 ページ： 054503 発行年： 2010年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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