文献
J-GLOBAL ID:201002220743447304
整理番号:10A0491081
KrFレーザーおよびZnOナノロッドを用いた表面粗化による垂直構造GaNベース発光ダイオード光出力の増強
Enhanced Light Output of Vertical-Structured GaN-Based Light-Emitting Diode with Surface Roughening Using KrF Laser and ZnO Nanorods
著者 (7件):
LEE Wei-Chi
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
UANG Kai-Ming
(Wu Feng Inst. Technol., Chia-yi Country, TWN)
,
CHEN Tron-Min
(Wu Feng Inst. Technol., Chia-yi Country, TWN)
,
KUO Der-Ming
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Pei-Ren
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Po-Hong
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Shui-Jinn
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
4,Issue 2
ページ:
04DG12.1-04DG12.4
発行年:
2010年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)