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文献
J-GLOBAL ID：201002220819500188
整理番号：10A0686347
自己イオン注入と熱アニーリングにより創った珪素中のサブバンドギャップ発光中心
Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by self-ion implantation and thermal annealing
YANG Yu
(Inst. of optoelectronic information materials, Yunnan Univ., 2 Northern Cuihu Road, Kunming, Yunnan Province 650091, CHN)
,
BAO Jiming
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, 4800 Calhoun Road, Houston, Texas 77204, USA)
,
WANG Chong
(Inst. of Engineering and Technol., Yunnan Univ., 2 Northern Cuihu Road, Kunming, Yunnan Province 650091, CHN)
,
AZIZ Michael J.
(School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., 29 Oxford Street, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 107 号： 12 ページ： 123109 発行年： 2010年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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