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J-GLOBAL ID：201002220892062598 整理番号：10A0213412

窒素希釈水素化非晶質炭素(n型a-C:H)薄膜の特性とn型a-C:H/p型結晶シリコンヘテロ接合ダイオードの実現

Properties of nitrogen diluted hydrogenated amorphous carbon (n-type a-C:H) films and their realization in n-type a-C:H/p-type crystalline silicon heterojunction diodes

著者 (4件)：

KUMAR Sushil

(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)

DWIVEDI Neeraj

(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)

RAUTHAN C.m.s.

(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)

PANWAR O.s.

(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)

資料名：

Vacuum (Vacuum)

巻： 84 号： 7 ページ： 882-889 発行年： 2010年03月04日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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