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文献
J-GLOBAL ID：201002221308975800
整理番号：10A1753633
窒素含有オリゴアセンに基づく両極性薄膜トランジスタからの高い均衡正孔および電子移動度
High and Balanced Hole and Electron Mobilities from Ambipolar Thin-Film Transistors Based on Nitrogen-Containing Oligoacences
LIU Yi-Yang
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
SONG Cheng-Li
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
ZENG Wei-Jing
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
ZHOU Kai-Ge
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
SHI Zi-Fa
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
MA Chong-Bo
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
YANG Feng
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
ZHANG Hao-Li
(Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
,
GONG Xiong
(Univ. Akron, Ohio, USA)
資料名：
Journal of the American Chemical Society
(Journal of the American Chemical Society)
巻： 132 号： 46 ページ： 16349-16351 発行年： 2010年11月24日
JST資料番号： C0254A ISSN： 0002-7863 CODEN： JACSAT 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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