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文献
J-GLOBAL ID：201002222277553754
整理番号：10A0235781
グラフェンの低温合成と転写工程を用いないトップゲート電界効果トランジスタの作製
Low-Temperature Synthesis of Graphene and Fabrication of Top-Gated Field Effect Transistors without Using Transfer Processes
KONDO Daiyu
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
KONDO Daiyu
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
KONDO Daiyu
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SATO Shintaro
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SATO Shintaro
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SATO Shintaro
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
YAGI Katsunori
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
HARADA Naoki
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SATO Motonobu
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SATO Motonobu
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SATO Motonobu
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
NIHEI Mizuhisa
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
NIHEI Mizuhisa
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
NIHEI Mizuhisa
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
YOKOYAMA Naoki
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 3 号： 2 ページ： 025102.1-025102.3 発行年： 2010年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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