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文献
J-GLOBAL ID：201002223819774570
整理番号：10A0388366
有機強誘電体と酸化物半導体とを200°C以下で用いる完全透明性不揮発性メモリ薄膜トランジスタ
Fully Transparent Non-volatile Memory Thin-Film Transistors Using an Organic Ferroelectric and Oxide Semiconductor Below 200 °C
YOON Sung-Min
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
YANG Shinhyuk
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
BYUN Chunwon
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
PARK Sang-Hee K.
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
CHO Doo-Hee
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
JUNG Soon-Won
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
KWON Oh-Sang
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
HWANG Chi-Sun
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 20 号： 6 ページ： 921-926 発行年： 2010年03月24日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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