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文献
J-GLOBAL ID：201002224398862013
整理番号：10A1124868
NiO薄膜の透明性と伝導特性に対するLiドーピングの効果とヘテロエピタキシャル成長法で作製したp-n接合への応用
Effect of Li doping in NiO thin films on its transparent and conducting properties and its application in heteroepitaxial p-n junctions
DUTTA Titas
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7907, USA)
,
GUPTA P.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7907, USA)
,
GUPTA A.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7907, USA)
,
NARAYAN J.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695-7907, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 108 号： 8 ページ： 083715 発行年： 2010年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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