文献
J-GLOBAL ID:201002226787032410
整理番号:10A0490949
高性能pチャンネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)用の低珪化物/p+-珪素Schottky障壁による低接触抵抗
Low Contact Resistivity with Low Silicide/p+-Silicon Schottky Barrier for High-Performance p-Channel Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistors
著者 (6件):
TANAKA Hiroaki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ISOGAI Tatsunori
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
GOTO Tetsuya
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TERAMOTO Akinobu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUGAWA Shigetoshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI Tadahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
4,Issue 2
ページ:
04DA03.1-04DA03.5
発行年:
2010年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)