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文献
J-GLOBAL ID：201002226933667767
整理番号：10A1459442
Al2O3ゲート誘電体を有するエンハンスメントモードGaAs電界効果トランジスタにおけるHall移動度測定
Hall mobility measurements in enhancement-mode GaAs field-effect transistors with Al2O3 gate dielectric
SHAHRJERDI D.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
NAH J.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
HEKMATSHOAR B.
(Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, New Jersey 08544, USA)
,
AKYOL T.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
RAMON M.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
TUTUC E.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
BANERJEE S. K.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 21 ページ： 213506 発行年： 2010年11月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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