文献
J-GLOBAL ID:201002227233109484
整理番号:10A0525319
大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用
Microsecond Melting and Crystallization of Silicon Films Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication
著者 (1件):
東清一郎
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
110
号:
15(SDM2010 1-16)
ページ:
39-44
発行年:
2010年04月16日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)