文献
J-GLOBAL ID:201002227355057329
整理番号:10A0772332
HfO2/SiO2/Si(100)スタック構造の中へのMg拡散のキャラクタリゼーションと欠陥状態密度に対するそのインパクト
Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities
著者 (5件):
OHTA Akio
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
KANME Daisuke
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MURAKAMI Hideki
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
HIGASHI Seiichiro
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIYAZAKI Seiichi
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
110
号:
110(SDM2010 49-123)
ページ:
189-194
発行年:
2010年06月23日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)