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J-GLOBAL ID：201002227380346467 整理番号：10A0054066

超薄ポリマーゲート緩衝層をもつペンタセン薄膜トランジスターのN-チャネル操作

N-channel operation of pentacene thin-film transistors with ultrathin polymer gate buffer layer

著者 (4件)：

NODA Kei

(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)

TANIDA Shinji

(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)

KAWABATA Hiroshi

(National Inst. of Sci. and Technol. Policy, Ministry of Education, Culture, Sports, Sci. and Technol., Kasumigaseki ...)

MATSUSHIGE Kazumi

(Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)

資料名：

Synthetic Metals (Synthetic Metals)

巻： 160 号： 1-2 ページ： 83-87 発行年： 2010年01月
JST資料番号： C0123B ISSN： 0379-6779 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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