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文献
J-GLOBAL ID：201002228668232128
整理番号：10A0312661
単層カーボンナノチューブの配向アレイを用いるトランジスタのスケーリング特性
Scaling Properties in Transistors That Use Aligned Arrays of Single-Walled Carbon Nanotubes
HO Xinning
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
YE Lina
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
ROTKIN Slava V.
(Lehigh Univ., Pennsylvania)
,
CAO Qing
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
UARUNOTAI Sakulsuk
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
SALAMAT Shuaib
(Purdue Univ., Indiana)
,
ALAM Muhammad A.
(Purdue Univ., Indiana)
,
ROGERS John A.
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名：
Nano Letters
(Nano Letters)
巻： 10 号： 2 ページ： 499-503 発行年： 2010年02月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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