文献
J-GLOBAL ID:201002228698541826
整理番号:10A0548462
c面とm面InGaN系発光ダイオードのキャリアスピルオーバ効果に関して
On carrier spillover in c- and m-plane InGaN Light Emitting Diodes
著者 (8件):
LEE J.
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
LI X.
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
NI X.
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
OEZGUER UE.
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
MORKOC H.
(Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
,
PASKOVA T.
(Kyma Technol., Inc., NC, USA)
,
MULHOLLAND G.
(Kyma Technol., Inc., NC, USA)
,
EVANS K. R.
(Kyma Technol., Inc., NC, USA)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
7602
ページ:
760224.1-760224.7
発行年:
2010年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)