文献
J-GLOBAL ID:201002229632734875
整理番号:10A0500797
ErをドープしたGaNにおけるErに関係するルミネセンスの濃度クエンチングの抑制
Suppression of concentration quenching of Er-related luminescence in Er-doped GaN
著者 (7件):
CHEN Shaoqiang
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
DIERRE Benjamin
(Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki ...)
,
LEE Woong
(Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki ...)
,
SEKIGUCHI Takashi
(Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki ...)
,
TOMITA Shigeo
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
KUDO Hiroshi
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
AKIMOTO Katsuhiro
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
18
ページ:
181901
発行年:
2010年05月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)