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文献
J-GLOBAL ID：201002231478006955
整理番号：10A0134528
電子サイクロトロン共鳴プラズマ技法による高kゲート誘電体/Geのための高品質GeO2中間層の低温生成
Low-Temperature Formation of High-Quality GeO2 Interlayer for High-κ Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques
FUKUDA Yukio
(Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN)
,
YAZAKI Yuya
(Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN)
,
OTANI Yohei
(Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN)
,
SATO Tetsuya
(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
,
TOYOTA Hiroshi
(Hirosaki Univ., Hirosaki, JPN)
,
ONO Toshiro
(Hirosaki Univ., Hirosaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57 号： 1 ページ： 282-287 発行年： 2010年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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