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文献
J-GLOBAL ID：201002232280743160
整理番号：10A0491073
InGaAs/InAlAs5層非対称結合量子井戸における電気屈折効果に対するヘテロ界面急峻性の影響
Influence of Heterointerface Abruptness on Electrorefractive Effect in InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well
ISERI Yuji
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
ARAKAWA Taro
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
TADA Kunio
(Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HANEJI Nobuo
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DG04.1-04DG04.4 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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