文献
J-GLOBAL ID:201002233962230471
整理番号:10A0235766
AlN/サファイア上に有機金属気相エピタクシーにより成長させたSiドープAl<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0<x<0.87)の表面特性の変化
Variation of Surface Potentials of Si-Doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N (0<x<0.87) Grown on AlN/Sapphire Template by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
著者 (5件):
KUBO Toshiharu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TAKETOMI Hiroyuki
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MIYAKE Hideto
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
HIRAMATSU Kazumasa
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
2
ページ:
021004.1-021004.3
発行年:
2010年02月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)