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文献
J-GLOBAL ID：201002235034826587
整理番号：10A0122921
CH3ClおよびSiCl4前駆体を用いた4H-SiCの低温ホモエピタキシャル成長
Low-temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC with CH3Cl and SiCl4 precursors
KOTAMRAJU Siva
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA)
,
KRISHNAN Bharat
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA)
,
MELNYCHUK Galyna
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA)
,
KOSHKA Yaroslav
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Mississippi State Univ., Mississippi State, MS 39762, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 312 号： 5 ページ： 645-650 発行年： 2010年02月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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