文献
J-GLOBAL ID:201002235385052626
整理番号:10A0598157
A面成長方位によるAlN p-n接合発光ダイオードからの表面210nm発光の増強
Surface 210 nm light emission from an AlN p-n junction light-emitting diode enhanced by A-plane growth orientation
著者 (2件):
TANIYASU Yoshitaka
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
,
KASU Makoto
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
22
ページ:
221110
発行年:
2010年05月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)