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文献
J-GLOBAL ID：201002235912234754
整理番号：10A0053097
アンモニア熱オートクレーブでのGaN単結晶成長プロセスに関する数値シミュレーション-バッフル形状の影響
Numerical simulation of GaN single-crystal growth process in ammonothermal autoclave - Effects of baffle shape
MASUDA Y.
(Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...)
,
SUZUKI A.
(Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...)
,
MIKAWA Y.
(Mitsubishi Chemical Corp., 1000, Higashi-Mamiana, Ushiku 300-1295, JPN)
,
KAGAMITANI Y.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
ISHIGURO T.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
YOKOYAMA C.
(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
TSUKADA T.
(Tohoku Univ., 6-6-07, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
資料名：
International Journal of Heat and Mass Transfer
(International Journal of Heat and Mass Transfer)
巻： 53 号： 5-6 ページ： 940-943 発行年： 2010年02月
JST資料番号： C0390A ISSN： 0017-9310 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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