前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002236187535855
整理番号：10A0523670
リン組み込みによるSiO2/4H-SiC(0001)界面における界面近傍トラップの除去
Removal of near-interface traps at SiO2/4H-SiC (0001) interfaces by phosphorus incorporation
OKAMOTO Dai
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
YANO Hiroshi
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
HATAYAMA Tomoaki
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
FUYUKI Takashi
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 20 ページ： 203508 発行年： 2010年05月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。