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文献
J-GLOBAL ID：201002236640348840
整理番号：10A0328456
Alナノ結晶を含む窒化アルミニウム薄膜の帯電効果
Charging Effect of Aluminum Nitride Thin Films Containing Al Nanocrystals
LIU Y.
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Sichuan, CHN)
,
CHEN T. P.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
DING L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
WONG J. I.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
YANG M.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
LIU Z.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
LI Y. B.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ZHANG S.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10 号： 1 ページ： 599-603 発行年： 2010年01月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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