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文献
J-GLOBAL ID：201002236662865016
整理番号：10A0157162
歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
Planar-type all optical switches using GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers
北田貴弘
(徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ)
,
高橋朋也
(徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ)
,
森田健
(徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ)
,
井須俊郎
(徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ)
資料名：
電気学会電磁界理論研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EMT-10 号： 1-7.10-22.24-55 ページ： 85-88 発行年： 2010年01月28日
JST資料番号： Z0909A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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