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文献
J-GLOBAL ID：201002237266462487
整理番号：10A0969660
高アスペクト比の珪素エッチング: 解説
High aspect ratio silicon etch: A review
WU Banqiu
(Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA)
,
KUMAR Ajay
(Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA)
,
PAMARTHY Sharma
(Applied Materials, 974 E. Arques Ave., M/S 81505 Sunnyvale, California 94085, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 108 号： 5 ページ： 051101 発行年： 2010年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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