文献
J-GLOBAL ID:201002237402174431
整理番号:10A1021679
選択的再成長n+ソースをもつサブミクロンInP/InGaAs複合材料-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスター
Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source
著者 (7件):
KANAZAWA Toru
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
WAKABAYASHI Kazuya
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SAITO Hisashi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TERAO Ryousuke
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
IKEDA Shunsuke
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Yasuyuki
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FURUYA Kazuhito
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
9
ページ:
094201.1-094201.3
発行年:
2010年09月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)