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文献
J-GLOBAL ID：201002237809285289
整理番号：10A0727723
レーザアニーリング技術を使用した高k-Ni/ZrO2/TiN MIMキャパシタの改良キャパシタンス密度と信頼性
Improved Capacitance Density and Reliability of High-κ Ni/ZrO2/TiN MIM Capacitors Using Laser-Annealing Technique
TSAI C. Y.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIANG K. C.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN S. H.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSU K. C.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHI C. C.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIN Albert
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 7 ページ： 749-751 発行年： 2010年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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