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文献
J-GLOBAL ID：201002238082071902
整理番号：10A0451143
電圧印加原子間力顕微鏡法による垂直な単一Niナノワイヤの電流電圧特性
I-V characteristics of a vertical single Ni nanowire by voltage-applied atomic force microscopy
CHOI D.s.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Idaho, Moscow, ID 83844, USA)
,
RHEEM Y.
(Dep. of Environmental and Chemical Engineering, Univ. California at Riverside, Riverside, CA 92521, USA)
,
YOO B.
(Div. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426-791, KOR)
,
MYUNG N.v.
(Dep. of Environmental and Chemical Engineering, Univ. California at Riverside, Riverside, CA 92521, USA)
,
KIM Y.k.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 10 号： 4 ページ： 1037-1040 発行年： 2010年07月
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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