文献
J-GLOBAL ID:201002238104517942
整理番号:10A0913641
自己集合した湿式化学的エッチングプロセスによる深いSi溝の構築
Fabrication of Deep Si Trenches by Self-Assembled Wet Chemical Etching Process
著者 (4件):
HUNG S. C.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SHIU S. C.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHAO J. J.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIN C. F.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
157
号:
9
ページ:
D496-D499
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)