文献
J-GLOBAL ID:201002238307442190
整理番号:10A1065677
相補型非対称形MOSFETの物理,技術とモデリング
Physics, Technology, and Modeling of Complementary Asymmetric MOSFETs
著者 (9件):
BULUCEA Constantin
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
BAHL Sandeep R.
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
FRENCH William D.
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
YANG Jeng-Jiun
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
FRANCIS Pascale
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
HARJONO Tikno
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
KRISHNAMURTHY Vijay
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
TAO Jon
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
,
PARKER Courtney
(National Semiconductor Corp., CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
10
ページ:
2363-2380
発行年:
2010年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)