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文献
J-GLOBAL ID：201002238726429960
整理番号：10A0723822
バイアスされたAlGaN/GaNヘテロ構造における欠陥に関連した光学遷移の解析
Analysis of defect related optical transitions in biased AlGaN/GaN heterostructures
BENGI A.
(Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
,
LISESIVDIN S.b.
(Nanotechnology Res. Center, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR)
,
KASAP M.
(Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
,
MAMMADOV T.
(Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
,
MAMMADOV T.
(Inst. of Physics, National Acad. of Sci., Baku, Azerbaijan)
,
OZCELIK S.
(Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., 06500 Ankara, TUR)
,
OZBAY E.
(Nanotechnology Res. Center, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR)
,
OZBAY E.
(Dep. of Physics, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR)
,
OZBAY E.
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent Univ., 06800 Ankara, TUR)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13 号： 2 ページ： 105-108 発行年： 2010年04月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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