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文献
J-GLOBAL ID：201002238837448220
整理番号：10A0464918
バンドギャップエンジニアリングを用いた低漏れ電流のサブ1nm EOTLa-Al-O高kゲート誘電体
Sub-1 nm EOT La-Al-O higher-k gate dielectrics with low leakage current using band gap enginieering
ARIMURA Hiroaki
(Osaka Univ.)
,
ANDO Takashi
(IBM T. J. Watson Res. Center)
,
ANDO Takashi
(Osaka Univ.)
,
BROWN Stephen L.
(IBM T. J. Watson Res. Center)
,
KELLOCK Andrew
(IBM Almaden Res. Center)
,
CALLEGARI Alessandro
(IBM T. J. Watson Res. Center)
,
COPEL Matthew
(IBM T. J. Watson Res. Center)
,
HAIGHT Richard
(IBM T. J. Watson Res. Center)
,
WATANABE Heiji
(Osaka Univ.)
,
NARAYANAN Vijay
(IBM T. J. Watson Res. Center)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th ページ： ROMBUNNO.19A-P11-17 発行年： 2010年03月03日
JST資料番号： Y0054B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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