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文献
J-GLOBAL ID：201002239419223609
整理番号：10A0831095
層状強誘電半導体化合物TlGaSe2の格子動力学
Lattice dynamics of layered ferroelectric semiconductor compound TlGaSe2
HASHIMZADE F.m.
(Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan)
,
HUSEINOVA D.a.
(Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan)
,
ORUDZHEV G.s.
(Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan)
,
NIZAMETDINOVA M.a.
(Azerbaijan Univ. of Architecture and Construction, Baku, Azerbaijan)
,
ULUBEY A.m.
(Dep. of Physics, Trakya Univ., 22030 Edirne, TUR)
,
ALLAKHVERDIEV K.r.
(Inst. of Physics, Azerbaijan National Acad. of Sciences, Baku, Azerbaijan)
,
ALLAKHVERDIEV K.r.
(TUBITAK, Marmara Res. Center, Materials Inst., Gebze/Kocaeli, TUR)
資料名：
Materials Research Bulletin
(Materials Research Bulletin)
巻： 45 号： 10 ページ： 1438-1442 発行年： 2010年10月
JST資料番号： B0954A ISSN： 0025-5408 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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