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文献
J-GLOBAL ID：201002239836310549
整理番号：10A0458328
欠陥エンジニアリングによる希薄磁性半導体における強誘電性
Ferromagnetism in Dilute Magnetic Semiconductors through Defect Engineering: Li-Doped ZnO
YI J. B.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LIM C. C.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
XING G. Z.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
FAN H. M.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
VAN L. H.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
HUANG S. L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
YANG K. S.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YANG K. S.
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
HUANG X. L.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
QIN X. B.
(Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG B. Y.
(Inst. High Energy Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WU T.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
WANG L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ZHANG H. T.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
GAO X. Y.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LIU T.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
WEE A. T. S.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
FENG Y. P.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
DING J.
(National Univ. Singapore, Singapore)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 104 号： 13 ページ： 137201.1-137201.4 発行年： 2010年04月02日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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