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文献
J-GLOBAL ID：201002239870630714
整理番号：10A0814338
意図的な変換プロセス条件およびTakeuchiプロットによるN型電界効果トランジスタにおける余剰閾電圧変動性の可能な起源
Possible Origins of Extra Threshold Voltage Variability in N-Type Field-Effect Transistors by Intentionally Changing Process Conditions and Using Takeuchi Plot
TSUNOMURA Takaaki
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
YANO Fumiko
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
NISHIDA Akio
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
HIRAMOTO Toshiro
(MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
,
HIRAMOTO Toshiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 7,Issue 1 ページ： 074104.1-074104.4 発行年： 2010年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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