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文献
J-GLOBAL ID：201002240245990549
整理番号：10A0493229
原子的平坦ScAlMgO4エピタクシー緩衝層の作成と高移動度ZnO膜の低温成長
Fabrication of Atomically Flat ScAlMgO4 Epitaxial Buffer Layer and Low-Temperature Growth of High-Mobility ZnO Films
KATASE Takayoshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
NOMURA Kenji
,
OHTA Hiromichi
,
OHTA Hiromichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YANAGI Hiroshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
,
HIRANO Masahiro
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HIRANO Masahiro
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 10 号： 3 ページ： 1084-1089 発行年： 2010年03月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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