文献
J-GLOBAL ID:201002240262753054
整理番号:10A0964770
エピタキシャル成長させたグラフェンと炭化ケイ素の間の電荷移動
Charge transfer between epitaxial graphene and silicon carbide
著者 (4件):
KOPYLOV Sergey
(Dep. of Physics, Lancaster Univ., LA1 4YB Lancaster, GBR)
,
TZALENCHUK Alexander
(National Physical Lab., TW11 0LW Teddington, GBR)
,
KUBATKIN Sergey
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., S-412 96 Goteborg, SWE)
,
FAL’KO Vladimir I.
(Dep. of Physics, Lancaster Univ., LA1 4YB Lancaster, GBR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
11
ページ:
112109
発行年:
2010年09月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)