文献
J-GLOBAL ID:201002240269341185
整理番号:10A0434771
ゲルマニウム上の原子層堆積ZrO2/La2O3誘電体の堆積後アニリーングによる非常に高いkの結晶質ZrO2層の安定化
Stabilization of a very high-k crystalline ZrO2 phase by post deposition annealing of atomic layer deposited ZrO2/La2O3 dielectrics on germanium
著者 (6件):
ABERMANN S.
(Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT)
,
HENKEL C.
(Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT)
,
BETHGE O.
(Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT)
,
POZZOVIVO G.
(Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT)
,
KLANG P.
(Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT)
,
BERTAGNOLLI E.
(Inst. for Solid State Electronics, Vienna Univ. of Technol., Vienna, AUT)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
256
号:
16
ページ:
5031-5034
発行年:
2010年06月01日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)