文献
J-GLOBAL ID:201002240353359090
整理番号:10A1339286
LER誘起MOSFETのVT変動性の把握-第I部:大規模統計試料の3次元シミュレーション
Understanding LER-Induced MOSFET VT Variability-Part I: Three-Dimensional Simulation of Large Statistical Samples
著者 (4件):
REID Dave
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
MILLAR Campbell
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
ROY Scott
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
ASENOV Asen
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
11
ページ:
2801-2807
発行年:
2010年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)