文献
J-GLOBAL ID:201002240411109660
整理番号:10A1095848
MOSをベースにした放射線センサのSiO2に埋め込まれたGeナノ結晶
Ge nanocrystals embedded in SiO2 in MOS based radiation sensors
著者 (6件):
AKTAG Aliekber
(Physics Dep., Abant Izzet Baysal Univ., 14280 Bolu, TUR)
,
YILMAZ Ercan
(Physics Dep., Abant Izzet Baysal Univ., 14280 Bolu, TUR)
,
MOGADDAM Nader A.P.
(Physics Dep., Middle East Technical Univ., 06531 Ankara, TUR)
,
AYGUEN Guelnur
(Physics Dep., Izmir Inst. of Technol., 35430 Urla, Izmir, TUR)
,
CANTAS Ayten
(Physics Dep., Izmir Inst. of Technol., 35430 Urla, Izmir, TUR)
,
TURAN Rasit
(Physics Dep., Middle East Technical Univ., 06531 Ankara, TUR)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
268
号:
22
ページ:
3417-3420
発行年:
2010年11月15日
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)