文献
J-GLOBAL ID:201002240478003815
整理番号:10A1065697
プレーナ形NMOSFET性能向上のための絶縁性ハロ
Insulating Halos to Boost Planar NMOSFET Performance
著者 (8件):
HSU Wen-Wei
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LAI Chao-Yun
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIU Chee Wee
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
KO Chih-Hsin
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
KUAN Ta-Ming
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
WANG Tzu-Juei
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE Wen-Chin
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
WANN Clement H.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
10
ページ:
2526-2530
発行年:
2010年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)