文献
J-GLOBAL ID:201002240514447954
整理番号:10A0942935
150°C以下で処理したアモルファスシリコン-インジウム-酸化亜鉛半導体薄膜トランジスタ
Amorphous silicon-indium-zinc oxide semiconductor thin film transistors processed below 150 °C
著者 (3件):
CHONG Eugene
(Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR)
,
CHUN Yoon Soo
(Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR)
,
LEE Sang Yeol
(Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
10
ページ:
102102
発行年:
2010年09月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)