文献
J-GLOBAL ID:201002240890690037
整理番号:10A0847566
ポリ(N-ビニルカルバゾール)層に埋め込まれたCdSe/ZnSから成る量子ドットを含む混成エレクトロルミネセンス(EL)素子における電荷捕獲
Charge trapping in hybrid electroluminescence device containing CdSe/ZnS quantum dots embedded in a conducting poly(N-vinylcarbozole) layer
著者 (3件):
LI Fushan
(Inst. of Optoelectronic Display, Fuzhou Univ., Fuzhou 350002, People’s Republic of China)
,
GUO Tailiang
(Inst. of Optoelectronic Display, Fuzhou Univ., Fuzhou 350002, People’s Republic of China)
,
KIM Taewhan
(National Res. Lab. for Nano Quantum Electronics, Div. of Electronics and Computer Engineering, Hanyang Univ., Seoul ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
6
ページ:
062104
発行年:
2010年08月09日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)