文献
J-GLOBAL ID:201002240936115199
整理番号:10A0672317
直接液噴射化学蒸着窒化ニッケル膜からのニッケルシリサイド形成
Formation of Nickel Silicide from Direct-Liquid-Injection Chemical-Vapor-Deposited Nickel Nitride Films
著者 (5件):
LI Zhefeng
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
GORDON Roy G.
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
LI Huazhi
(Dow Electronic Materials, Massachusetts, USA)
,
SHENAI Deo V.
(Dow Electronic Materials, Massachusetts, USA)
,
LAVOIE Christian
(IBM, New York, USA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
157
号:
6
ページ:
H679-H683
発行年:
2010年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)