文献
J-GLOBAL ID:201002240989184702
整理番号:10A0617816
二元AlNとGaNサブレーヤによる三元AlGaNのディジタル合金化前駆体変調流エピタキシャル成長および組成不均一性の観測
Digitally Alloyed Modulated Precursor Flow Epitaxial Growth of Ternary AlGaN with Binary AlN and GaN Sub-Layers and Observation of Compositional Inhomogeneity
著者 (7件):
KIM Hee Jin
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
CHOI Suk
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
YOO Dongwon
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
RYOU Jae-Hyun
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
HAWKRIDGE Michael E.
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
LILIENTAL-WEBER Zuzanna
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
DUPUIS Russell D.
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
39
号:
5
ページ:
466-472
発行年:
2010年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)