文献
J-GLOBAL ID:201002241185544010
整理番号:10A0296299
原子層堆積によって成長させたp-SiC(4H)上のZnOベースヘテロ接合発光ダイオード
ZnO-based heterojunction light-emitting diodes on p-SiC(4H) grown by atomic layer deposition
著者 (6件):
SHIH Y. T.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
WU M. K.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN M. J.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHENG Y. C.
(National Univ. Tainan, Tainan, TWN)
,
YANG J. R.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SHIOJIRI M.
(Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
資料名:
Applied Physics. B. Lasers and Optics
(Applied Physics. B. Lasers and Optics)
巻:
98
号:
4
ページ:
767-772
発行年:
2010年03月
JST資料番号:
E0501B
ISSN:
0946-2171
CODEN:
APBOEM
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)