文献
J-GLOBAL ID:201002241447644304
整理番号:10A0322229
BiFeO3薄膜の酸素濃度と漏れ電流に及ぼすその影響
Oxygen concentration and its effect on the leakage current in BiFeO3 thin films
著者 (4件):
YANG H.
(Jiangsu Key Lab. of Thin Films, School of Physical Sci. and Technol., Soochow Univ., Suzhou 215006, CHN)
,
WANG Y. Q.
(Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
,
WANG H.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M Univ., Coll. Station, Texas 77843-3128, USA)
,
JIA Q. X.
(Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
1
ページ:
012909
発行年:
2010年01月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)