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J-GLOBAL ID:201002241447644304   整理番号:10A0322229

BiFeO3薄膜の酸素濃度と漏れ電流に及ぼすその影響

Oxygen concentration and its effect on the leakage current in BiFeO3 thin films
著者 (4件):
YANG H.
(Jiangsu Key Lab. of Thin Films, School of Physical Sci. and Technol., Soochow Univ., Suzhou 215006, CHN)
WANG Y. Q.
(Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)
WANG H.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M Univ., Coll. Station, Texas 77843-3128, USA)
JIA Q. X.
(Materials Physics and Applications Div., Los Alamos National Lab., Los Alamos, New Mexico 87545, USA)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 96  号:ページ: 012909  発行年: 2010年01月04日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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