文献
J-GLOBAL ID:201002241809844455
整理番号:10A0565016
GaN基板上に再成長AlGaN/GaN二次元電子ガスチャネルを有する新しい垂直ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Novel Vertical Heterojunction Field-Effect Transistors with Re-grown AlGaN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Channels on GaN Substrates
著者 (10件):
OKADA Masaya
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
SAITOH Yu
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
YOKOYAMA Mitsunori
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
NAKATA Ken
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
YAEGASHI Seiji
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
KATAYAMA Koji
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
UENO Masaki
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
KIYAMA Makoto
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
KATSUYAMA Tsukuru
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
,
NAKAMURA Takao
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
5
ページ:
054201.1-054201.3
発行年:
2010年05月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)